600 V IGBT-transistorer optimeret til svejseapplikationer
International Rectifier (IR) introducerer en ny IR66xx serie af højtydende 600 V ultrahurtige Trench-gate Field Stop" IGBT-transistorer (Insulated-Gate Bipolar Transistor).
"De er co-pakkede med en soft-recovery diode med lav Qrr og er optimeret til ultrahurtig switching (8 kHz – 30 kHz) med en specificeret kortslutningsrating på 5 µsek. 600 V IGBT’erne har også en lav VCE(ON) spænding og en positiv temperaturkoefficient, der gør det let og uproblematisk at parallelkoble flere kredse", lyder det fra IR.
IR66xx IGBT-serien udmærker sig endvidere ved en høj switchingfrekvens, fortæller IR, en specificeret maksimum junction-temperatur på 175°C og en lav EMI for at give en forbedret pålidelighed, en højere systemeffektivitet og en robust transientperformance.
